芯片制造商为制造障碍做准备
牛牛热视频-[游戏直播]
发布于 2019-06-24 15:21:19
9999+

棋牌官方下载2007年底,半导体制造商计划开始生产45纳米工艺制造的芯片,这是摩尔定律发展的下一步。然后他们将在两年后跟进32纳米芯片。在这些生产线上生产的芯片将更快,消耗更少的能量,包含更多的晶体管并且制造成本更低。德州仪器表示,其45纳米手机芯片的功耗将降低40%,性能提升30%。因此,消费者将能够在不杀死电池的情况下玩游戏或看电视。 但制造这些芯片也很困难,迫使制造商改变他们今天使用的基本材料和工艺。错误可能意味着几个季度落后于竞争对手。 “有一些因素使得这一个(45纳米跳跃)变得更加困难,但这并不是我们第一次完成它,”TI工艺技术总监Peter Rickert说。 本周,来自主要公司和大学的科学家将齐聚檀香山参加由电气和电子工程师协会主办的2006年VLSI电路研讨会。 英特尔在会议上计划描述其三角晶体管。在标准晶体管中,电子通过称为栅极的平面沟道从源极流到漏极。三角形有三个门 - 两个垂直门和一个水平门 - 有点类似于一个盒子。 由于目前的栅极使用多晶硅,因此三栅极还将包含一层金属,这是一个重大变化。这些晶体管还包含增强形式的应变硅。英特尔组件研究总监Mike Mayberry表示,总体而言,三相晶体管可以在与当前65纳米晶体管相同的功率水平下提供35%的更好性能。 虽然它已制造出带有三联体的原型芯片,但三配体不会成为英特尔45纳米芯片的一部分。 “我们认为在32或22纳米节点中存在重要的考虑机会,”梅伯里说。 他不会评论金属是否会取代英特尔45纳米芯片中的多晶硅。金属可以代替平面晶体管上的多晶硅。 与此同时,TI将展示一款45纳米SRAM存储单元,其占用面积仅为0.24平方微米,比迄今为止其他人所展示的测试45纳米SRAM单元小约30%。 (SRAM单元通常用于测试新的制造工艺。) TI实现了小尺寸,因为它已经决定采用浸没式光刻技术,其涉棋牌手游及在硅晶片浸入时在芯片上绘制电路线。 TI还增强了其制造工艺的许多其他功能。 通过采用沉浸式技术进行商业化生产,TI的发展速度超过其竞争对手。 IBM正在考虑采用其Nemo浸入式系统用于32纳米芯片,两三年后问世。英特尔计划跳过沉浸在45纳米芯片中,但可能采用32纳米芯片。 在45纳米的情况下,湿法光刻技术将让TI在芯片上挤出更多的晶体管,而不是选择干式晶体管。 “我们主要关心的是密度增加一倍,当我们查看分析时,我们无法保持干燥,”Rickert说。 “它(沉浸式)被纳入设计规则。” 当制造商实际开始出货时,45纳米芯片各不相同。英特尔是摩尔定律每两年推出一项新制造工艺最成功的公司之一,计划于2007年底开始向制造商提供45纳米芯片。该公司是最早出货65-芯片的公司之一。纳米芯片于2005年底推出。 TI计划于2007年底向制造商提供45纳米芯片样品,并于2008年开始生产。该公司还将改变其各种芯片的配方,针对不同的性能,成本和功效组合进行优化。该公司计划在其45纳米工艺制造的高性能微处理器中采用金属栅极。 同样在会议上,摩托罗拉芯片分拆的飞思卡尔半导体将展示一种绝缘体上硅,它表示可以将功耗降低30%。然而,飞思卡尔尚未表示是否将该技术纳入其45纳米芯片中。 与此同时,Advanced Micro Devices计划在2008年中期开始生产45纳米芯片。这代表了公司计划的加速。 AMD甚至还没有开始出货65纳米芯片。该公司高管表示,如果该公司能够达到2008年中期的标志,它将关闭英特尔现在享有的制造业领先地位。 摩尔定律需要多长时间 - 这决定了芯片上晶体管的数量每两年翻一番 - 会继续吗?怀疑论者表示,在2012年或2014年左右开始出现22纳米芯片后,它可能会停止。此时,芯片制造商将不得不采用晶体管以外的新结构来传输信号,因为它在经济上不可行。热门棋牌

X分享到微信朋友圈

打开微信,使用“扫一扫”,点击右上角“分享到朋友圈”。